在乘用车逆变器领域，目前主要还是以Si基半导体材料为主，且以两电平主回路拓扑结构为主。由于Si基开关器件（IGBT、MOSFET等）开关频率低，开关损耗大，导致逆变器体积大、效率低，进而影响电动汽车的空间布局和续航水平，而这对乘用车来说至关重要。半导体材料与拓扑结构对逆变器的造价和性能的影响见图所示，从造价和性能两个维度来看，三电平拓扑+GaN开关器件是最优选择。
| 主要技术参数表 | ||
| 参数 | 典型值 | 单位 |
| 输出功率 | 100 | kW |
| 输入电压 | 800 | V DC |
| 相电流(RMS) | 115 | A AC |
| 调制度 | 0-0.95 | |
| 开关频率 | 44 | kHZ |
| 输出电压 | 500 | V AC |
| 辅助电源电压 | 12 | V DC |
| 冷却介质 | 水/丙二醇(50/50) | |
| 冷却液流量 | 8 | l/min |
| 尺寸(L*W*H) | 300*300*65 | mm |
| 重量 | 6 | kg |
在乘用车逆变器领域，目前主要还是以Si基半导体材料为主，且以两电平主回路拓扑结构为主。由于Si基开关器件（IGBT、MOSFET等）开关频率低，开关损耗大，导致逆变器体积大、效率低，进而影响电动汽车的空间布局和续航水平，而这对乘用车来说至关重要。半导体材料与拓扑结构对逆变器的造价和性能的影响见图所示，从造价和性能两个维度来看，三电平拓扑+GaN开关器件是最优选择。
| 产品图片 | 名称 | 类别 | 描述 | 查看 |
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江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
